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LM66100-Q1具有集成 FET 的汽车类 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二极管

发布时间2022-8-4 15:12:00关键词:二极管
摘要

LM66100-Q1

LM66100-Q1

产品详情

描述:

LM66100-Q1 是一款单输入、单输出 (SISO) 集成理想二极管,非常适合各种应用。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET,可在 1.5 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作,并可支持 1.5 A 的连续电流。

芯片使能通过将CE引脚电压与输入电压进行比较来工作。当CE引脚电压高于 VIN 时,器件禁用,MOSFET 关闭。当CE引脚电压较低时,MOSFET 导通。LM66100-Q1 还带有反极性保护 (RPP),可以保护设备免受错误接线输入的影响,例如电池反接。

两个 LM66100-Q1 器件可用于类似于双二极管 ORing 实施的 ORing 配置。在这种配置中,器件将输入电压传递到输出,同时阻止反向电流流入输入电源。这些器件可以比较输入和输出电压,以确保通过内部ADV7401BSTZ-80电压比较器阻止反向电流。

LM66100-Q1 采用标准 SC-70 封装,可在 –40°C 至 150°C 的结温范围内工作。

特性:

●符合汽车应用的 AEC-Q100 标准:

○器件温度等级 1:–40°C 至 125°C 环境工作温度范围

●宽工作电压范围:1.5 V–5.5 V

●VIN 上的反向电压隔离:–6V 大值

●持续电流 (I MAX ):1.5 A

●导通电阻 (R ON ):

○5VV IN = 79mΩ(典型值)

○3.6VV IN = 91mΩ(典型值)

○1.8VV IN = 141mΩ(典型值)

●比较器芯片使能 ( CE )

●通道状态指示 (ST)

●低电流消耗:

○3.6VV IN关断电流 (I SD,VIN ):120nA(典型值)

○3.6VV IN静态电流(IQ、VIN):150nA(典型值)

应用:

●信息娱乐和集群主机

●汽车仪表盘显示

●ADAS 环视系统 ECU

●车身控制模块和网关

参数:

输入电压 (小值) (V):1.5

输入电压 (大值) (V):5.5

特征:启用,开/关控制

Iq (典型值) (mA):0.00015

智商(大)(毫安):0.0003

工作温度范围(℃):-40 到 125

VSense 反向 (Typ) (mV):46

设计支持:虚拟机

受控通道 (#):1

场效应管:启用,开/关控制

◆LM66100-Q1 典型应用

2.png

◆LM66100-Q1 功能框图

?3.png

优质出

AP7381-33Y-13

MC9S12XEP100MAG

STPS4045CWY

LTC6994HS6-1#WTRMPBF

SN65HVD1781DR

SPC5744PFK1AMLQ9

NCP45520IMNTWG-H

IPG20N10S4-36A

ADM1086AKSZ

STM32L433RCT3

IRFB3607PBF

SAL-TC275TP-64F200N

ADSP-BF706KCPZ-4 1000

ADM2491EBRWZ-REEL7 2000

LT8643SEV#PBF 1080

ADL5535ARKZ-R7 5000

ADG708BRUZ-REEL7 1000

LT3791EFE#TRPBF 2000

LT4363IMS-1#TRPBF 2500

ADM2582EBRWZ-REEL7 2000

ADM2587EBRWZ-REEL7 800

ADM3232EARNZ-REEL7 8000

LT3045EMSE#PBF 2000

LTC3728EG#PBF 5000

ADM1278-1ACPZ-RL 5000

ADE7858AACPZ-RL 5000

SAK-TC212S-8F133F AC 1800个

IRS2153DSTRPBF 10000

IR2183STRPBF 2500

AUIR3241STR 2500

ISO7740DWR 2000

DRV8811PWPR 4000

ADS131A04IPBSR 1000

TPS61236PRWLR 6000

TPS61291DRVR 6000

SQJ459EP-T1_GE3 3000

SI7463DP-T1-GE3 3000

SI4850EY-T1-E3 2500

STM8S003F3P6TR 10000

STM32F400CBT6 4500

STM8L052C6T6 7500

STM8L151C8T6TR 7200

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